چیپستهای ۵ نانومتری IBM میتوانند عمر باتری را چهار برابر کنند
شرکت IBM، با همکاری سامسونگ و GlobalFoundries (شرکتی که برای کوالکام و AMD و کمپانیهای دیگر، چیپست میسازد)، توانستهاند به تکنولوژی ساخت چیپستهای ۵ نانومتری دست پیدا کنند. دو سال گذشته بود که IBM از تکنولوژی ساخت چیپستهای ۷ نانومتری رونمایی کرده بود و تصور میکنیم که سامسونگ از سال آیندهی میلادی، تولید انبوه تراشههای ۷ نانومتری را آغاز کند. با این حال، خبری که امروز منتشر شده، از یکی از بزرگترین اتفاقات اخیر صنعت تکنولوژی میگوید.
در عملکرد فعلی، این چیپستهای ۵ نانومتری میتوانند ۷۵ درصد انرژی کمتری مصرف کنند.
چیپست ۵ نانومتری ساخته شده، از ترانزیستوری از نوع Gate-all-around یا GAAFET استفاده میکند. این ترانزیستور، دور سه نانوصفحهی سیلیکونی افقی قرار میگیرد. تکنولوژی فعلی FinFET که در چیپست سازی استفاده میشود، طراحی عمودی دارد. شرکت IBM میگوید که معماری Gate-all-around سادهتر از FInFET است و ممکن است بتوانند اندازهی آن را به ۳ نانومتر هم برسانند.
طبق گفتهی IBM، این طراحی ۵ نانومتری چیپستها، میتواند در مقایسه با چیپستهای فعلی ۱۰ نانومتری، ۴۰ درصد عملکرد بهتری ارایه دهد؛ آن هم با مصرف انرژی یکسان. در عملکرد فعلی، این چیپستهای ۵ نانومتری میتوانند ۷۵ درصد انرژی کمتری مصرف کنند.
منبع: The Verge